1N6641US
Active - DIODE GEN PURP 50V 300MA D-5D
คำอธิบาย:
DIODE GEN PURP 50V 300MA D-5D
1N6641US สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
อนุกรม
Military, MIL-PRF-19500/609
แรงดันไฟฟ้า - DC Reverse (Vr) (สูงสุด)
50 V
กระแส - เฉลี่ยที่แก้ไขแล้ว (Io)
300mA
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ If
1.1 V @ 200 mA
ความเร็ว
Fast Recovery = 200mA (Io)
เวลาการกู้คืนแบบย้อนกลับ (trr)
5 ns
ปัจจุบัน - การรั่วไหลแบบย้อนกลับ @ Vr
100 nA @ 50 V
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
บรรจุภัณฑ์ / กล่อง
SQ-MELF, D
แพ็คเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
D-5D
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก
-65 ℃ ~ 175 ℃
1N6641US สินค้า คง คลัง: 8250
5.0 / 5.0
2023-01-05 21:24
ยังไม่ได้ทดสอบเลย จัดส่งรวดเร็ว รับภายใน 12 วัน
ได้ 50 50 รายการ
ขอบคุณ
2023-01-04 02:16
มาถึงกลุ่มถูกต้อง ทุกอย่างเรียบร้อยดี ขอบคุณผู้ขาย
2023-01-03 07:42
สินค้ามาถึงภายในหนึ่งเดือนตามที่อธิบายไว้
2023-01-03 04:56
ไมโครเคมีหุ่นยนต์นึกถึงช่วง DC/DC ต่ํากว่า ทุกอย่างก็เริ่มต้นขึ้นผมแนะนํา
2023-01-04 07:36
คุณภาพดีทํางานได้อย่างสมบูรณ์แบบ
Singapore
