1N6664
Active - DIODE GEN PURP 100V 10A TO257
คำอธิบาย:
DIODE GEN PURP 100V 10A TO257
1N6664 สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
แรงดันไฟฟ้า - DC Reverse (Vr) (สูงสุด)
100 V
กระแส - เฉลี่ยที่แก้ไขแล้ว (Io)
10A
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ If
1 V @ 10 A
ความเร็ว
Fast Recovery = 200mA (Io)
เวลาการกู้คืนแบบย้อนกลับ (trr)
35 ns
ปัจจุบัน - การรั่วไหลแบบย้อนกลับ @ Vr
-
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
บรรจุภัณฑ์ / กล่อง
TO-257-3
แพ็คเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
TO-257
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก
200 ℃
United States
