1N6779
Active - DIODE GEN PURP 600V 15A TO257
คำอธิบาย:
DIODE GEN PURP 600V 15A TO257
1N6779 สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
แรงดันไฟฟ้า - DC Reverse (Vr) (สูงสุด)
600 V
กระแส - เฉลี่ยที่แก้ไขแล้ว (Io)
15A
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ If
1.6 V @ 15 A
ความเร็ว
Fast Recovery = 200mA (Io)
เวลาการกู้คืนแบบย้อนกลับ (trr)
60 ns
ปัจจุบัน - การรั่วไหลแบบย้อนกลับ @ Vr
10 μA @ 480 V
ความจุ @ Vr, F
300pF @ 5V, 1MHz
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
บรรจุภัณฑ์ / กล่อง
TO-257-3
แพ็คเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
TO-257
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก
150 ℃ (Max)
Singapore
