APT17F120J
Active - MOSFET N-CH 1200V 18A ISOTOP
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 1200V 18A ISOTOP
APT17F120J สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
1200 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
18A (Tc)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
580mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
5V @ 2.5mA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
300 nC @ 10 V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
9670 pF @ 25 V
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
545W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Chassis Mount
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
ISOTOP?
แพ็คเกจ/เคส
SOT-227-4, miniBLOC
United States
