APT45M100J
Active - MOSFET N-CH 1000V 45A SOT227
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 1000V 45A SOT227
APT45M100J สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
1000 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
45A (Tc)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
180mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
5V @ 2.5mA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
570 nC @ 10 V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
18500 pF @ 25 V
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
960W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Chassis Mount
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
SOT-227
แพ็คเกจ/เคส
SOT-227-4, miniBLOC
Singapore
