APT58F50J
Active - MOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP
APT58F50J สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
500 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
58A (Tc)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
65mOhm @ 42A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
5V @ 2.5mA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
340 nC @ 10 V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
13500 pF @ 25 V
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
540W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Chassis Mount
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
ISOTOP?
แพ็คเกจ/เคส
SOT-227-4, miniBLOC
United States
