APTM10UM01FAG
Active - MOSFET N-CH 100V 860A SP6
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 100V 860A SP6
APTM10UM01FAG สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
100 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
860A (Tc)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
1.6mOhm @ 275A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
4V @ 12mA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
2100 nC @ 10 V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
60000 pF @ 25 V
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
2500W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Chassis Mount
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
SP6
United States
