APTM20UM03FAG
Active - MOSFET N-CH 200V 580A SP6
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 200V 580A SP6
APTM20UM03FAG สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
200 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
580A (Tc)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
3.6mOhm @ 290A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
5V @ 15mA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
840 nC @ 10 V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
43300 pF @ 25 V
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
2270W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Chassis Mount
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
SP6
Singapore
