FDMA86151L
Active - MOSFET N-CH 100V 3.3A 6MICROFET
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 100V 3.3A 6MICROFET
FDMA86151L สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
บรรจุ ภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
100 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
3.3A (Ta)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
88mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
3V @ 250μA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
7.3 nC @ 10 V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
450 pF @ 50 V
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
2.4W (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
6-MicroFET (2x2)
แพ็คเกจ/เคส
6-WDFN Exposed Pad
United States
