FDMC8882
Active - MOSFET N-CH 30V 10.5A/16A 8MLP
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 30V 10.5A/16A 8MLP
FDMC8882 สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
บรรจุ ภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
30 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
10.5A (Ta), 16A (Tc)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
14.3mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
2.5V @ 250μA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
20 nC @ 10 V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
945 pF @ 15 V
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
2.3W (Ta), 18W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
8-MLP (3.3x3.3)
United States
