FDMS7678
Active - MOSFET N-CH 30V 17.5A/26A 8PQFN
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 30V 17.5A/26A 8PQFN
FDMS7678 สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
บรรจุ ภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
30 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
17.5A (Ta), 26A (Tc)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
5.5mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
3V @ 250μA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
39 nC @ 10 V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
2410 pF @ 15 V
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
2.3W (Ta), 41W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
8-PQFN (5x6)
United States
