FDMS86101E
Obsolete - MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN
FDMS86101E สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
บรรจุ ภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
100 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
12.4A (Ta), 60A (Tc)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
8mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
4V @ 250μA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
55 nC @ 10 V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
3000 pF @ 50 V
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
2.5W (Ta), 104W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
8-PQFN (5x6)
Singapore
