FDMS86200
Active - MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDMS86200 สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
บรรจุ ภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
150 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
9.6A (Ta), 35A (Tc)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
18mOhm @ 9.6A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
4V @ 250μA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
46 nC @ 10 V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
2715 pF @ 75 V
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
2.5W (Ta), 104W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
8-PQFN (5x6)
United States
