FDMS86310
Active - MOSFET N-CH 80V 17A/50A 8PQFN
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 80V 17A/50A 8PQFN
FDMS86310 สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
บรรจุ ภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
80 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
17A (Ta), 50A (Tc)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
4.8mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
4.5V @ 250μA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
95 nC @ 10 V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
6290 pF @ 40 V
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
2.5W (Ta), 96W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
8-PQFN (5x6)
United States
