FDMS86322
Active - MOSFET N-CH 80V 13A/60A 8PQFN
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 80V 13A/60A 8PQFN
FDMS86322 สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
บรรจุ ภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
80 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
13A (Ta), 60A (Tc)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
7.65mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
4V @ 250μA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
55 nC @ 10 V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
3000 pF @ 50 V
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
2.5W (Ta), 104W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
8-PQFN (5x6)
Thailand
