FFSM1065A
Active - DIODE SIL CARBIDE 650V 11A 4PQFN
คำอธิบาย:
DIODE SIL CARBIDE 650V 11A 4PQFN
FFSM1065A สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
บรรจุ ภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
ประเภทไดโอด
Silicon Carbide Schottky
แรงดันไฟฟ้า - DC Reverse (Vr) (สูงสุด)
650 V
กระแส - เฉลี่ยที่แก้ไขแล้ว (Io)
11A
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ If
1.75 V @ 10 A
ความเร็ว
No Recovery Time >500mA (Io)
เวลาการกู้คืนแบบย้อนกลับ (trr)
0 ns
ปัจจุบัน - การรั่วไหลแบบย้อนกลับ @ Vr
200 μA @ 650 V
ความจุ @ Vr, F
575pF @ 1V, 100kHz
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
บรรจุภัณฑ์ / กล่อง
4-PowerTSFN
แพ็คเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
4-PQFN (8x8)
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก
-55 ℃ ~ 175 ℃
United States
