FQD2N80TF
Obsolete - MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK
FQD2N80TF สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
บรรจุ ภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
800 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
1.8A (Tc)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
6.3Ohm @ 900mA, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
5V @ 250μA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
15 nC @ 10 V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
550 pF @ 25 V
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
TO-252AA
แพ็คเกจ/เคส
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Thailand
