RM2N650IP
Active - MOSFET N-CHANNEL 650V 2A TO251
คำอธิบาย:
MOSFET N-CHANNEL 650V 2A TO251
RM2N650IP สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
650 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
2A (Tc)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
2.5Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
3.5V @ 250μA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
-
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
190 pF @ 50 V
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
23W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
TO-251
แพ็คเกจ/เคส
TO-251-3 Stub Leads, IPak
United States
