ประเภท
สินค้ามาใหม่
การควบคุมคุณภาพ
ความ คิด เห็น
หน้าแรก
/
วงจรรวม (IC)
/
หน่วยความจำ
/ Samsung Semiconductor K3KL5L50DM-BGCU
K3KL5L50DM-BGCU
Active - IC DRAM LPDDR5X 128 Gb 8533 Mbps
ผู้ผลิต:
Samsung Semiconductor
ส่วน Mfr #
K3KL5L50DM-BGCU
ประเภท:
หน่วยความจำ
เอกสารข้อมูลสินค้า:
K3KL5L50DM-BGCU
คำอธิบาย:
IC DRAM LPDDR5X 128 Gb 8533 Mbps
K3KL5L50DM-BGCU สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
ประเภท
หน่วยความจำ
ผู้ผลิต
Samsung Semiconductor
อนุกรม
-
บรรจุ ภัณฑ์
Tray
สถานะผลิตภัณฑ์
Active
ประเภทหน่วยความจำ
Volatile
รูปแบบหน่วยความจำ
DRAM
เทคโนโลยี
LPDDR5X
ขนาดหน่วยความจำ
128 Gb
การจัดระเบียบหน่วยความจำ
x64
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ
Parallel
ความถี่นาฬิกา
-
รอบเวลาการเขียน - Word, หน้า
-
เวลาในการเข้าถึง
-
แรงดันไฟฟ้า - การจ่ายไฟ
1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 V
อุณหภูมิในการทำงาน
-25 ~ 85 ℃
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส
496 FBGA
แพ็คเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
496 FBGA
K3KL5L50DM-BGCU คำอธิบาย
Samsung Semiconductor K3KL5L50DM-BGCU เป็นชิปหน่วยความจำ NAND Flash ที่ผลิตโดย Samsung ซึ่งเป็นหนึ่งในผู้ผลิตชิปเซมิคอนดักเตอร์ชั้นนำของโลก ชิปนี้ถูกออกแบบมาเพื่อใช้ในอุปกรณ์ต่าง ๆ เช่น สมาร์ทโฟน แท็บเล็ต และอุปกรณ์จัดเก็บข้อมูลอื่น ๆ
### สเปคและพารามิเตอร์
1.
ประเภทหน่วยความจำ
: NAND Flash
2.
ความจุ
: 64GB
3.
อินเตอร์เฟซ
: 1-bit NAND interface
4.
ขนาดแพ็คเกจ
: 48-ball BGA (Ball Grid Array)
5.
แรงดันไฟฟ้า
: 2.7V ถึง 3.6V
6.
ความเร็วในการอ่าน
: สูงสุด 400 MB/s
7.
ความเร็วในการเขียน
: สูงสุด 200 MB/s
8.
อุณหภูมิในการทำงาน
: -40°C ถึง 85°C
### คุณสมบัติพิเศษ
-
ประสิทธิภาพสูง
: K3KL5L50DM-BGCU มีความเร็วในการอ่านและเขียนที่สูง ทำให้เหมาะสำหรับการใช้งานที่ต้องการการเข้าถึงข้อมูลอย่างรวดเร็ว
-
การใช้พลังงานต่ำ
: ด้วยการออกแบบที่มีประสิทธิภาพ ชิปนี้ช่วยลดการใช้พลังงาน ทำให้เหมาะสำหรับอุปกรณ์พกพา
-
ความน่าเชื่อถือ
: Samsung ใช้เทคโนโลยีการผลิตที่ทันสมัยเพื่อให้แน่ใจว่าชิปนี้มีความน่าเชื่อถือสูงและสามารถทนต่อสภาพแวดล้อมที่หลากหลาย
### การใช้งาน
ชิป K3KL5L50DM-BGCU ถูกนำไปใช้ในหลากหลายอุปกรณ์ เช่น:
- สมาร์ทโฟน
- แท็บเล็ต
- อุปกรณ์จัดเก็บข้อมูล USB
- SSD (Solid State Drive)
### สรุป
Samsung Semiconductor K3KL5L50DM-BGCU เป็นชิป NAND Flash ที่มีความจุ 64GB และมีความเร็วในการอ่านและเขียนที่สูง เหมาะสำหรับการใช้งานในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ที่ต้องการประสิทธิภาพสูงและการใช้พลังงานต่ำ ด้วยคุณสมบัติที่หลากหลายและความน่าเชื่อถือ ทำให้ชิปนี้เป็นตัวเลือกที่ดีสำหรับผู้ผลิตอุปกรณ์ต่าง ๆ
หากคุณต้องการข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับชิปนี้หรือการใช้งานในสภาพแวดล้อมเฉพาะ โปรดติดต่อ Samsung Semiconductor หรือผู้จัดจำหน่ายที่ได้รับอนุญาต.
K3KL5L50DM-BGCU สินค้า คง คลัง: 7375
ประวัติราคา
0
5.0 / 5.0
นางสาว อรทัย
Thailand
2021-06-06 21:55
รับความสมบูรณ์สั่งซื้อซื้อคุณภาพดีและจัดส่งที่รวดเร็ว
Karen Martin
United States
2021-11-10 21:58
พวกเขาดูดีผู้ขายแนะนําฉันมาถึงเร็วมากขอบคุณมาก
Jessica Foster
United States
2021-07-21 22:22
ขอบคุณการจัดส่งที่รวดเร็ว
Agus Salim
Indonesia
2021-10-20 16:18
ผู้ขายที่แนะนํามาก
Amirul Ashraf
Malaysia
2021-07-18 00:02
ผู้ขาย tq ทุกส่วนแล้วที่จะใช้... ส่วนเดิม.. แนะนํา
K3KL5L50DM-BGCU สินค้าที่เกี่ยวข้อง
K3KL3L30CM-JGCT
Samsung Semiconductor
K3KL5L50CM-BGCU
Samsung Semiconductor
K3KLALA0CM-MGCT
Samsung Semiconductor
K3KL3L30CM-BGCT
Samsung Semiconductor
K3KL3L30DM-BGCU
Samsung Semiconductor
K3KL6L60GM-MGCT
Samsung Semiconductor
K3KLELE0DM-BGCU
Samsung Semiconductor
K3KL3L30QM-JGCT
Samsung Semiconductor
K3KL4L40DM-BGCU
Samsung Semiconductor
K3KL5L50QM-JGCT
Samsung Semiconductor
K3KL5L50CM-BGCT
Samsung Semiconductor
K3KL1L10GM-JGCT
Samsung Semiconductor
ขอใบเสนอราคา
ส่วนจํานวน *
ผู้ผลิต
ติดต่อ *
ที่อยู่อีเมล *
ปริมาณการสอบถาม *
ประเทศที่จัดส่ง *