ประเภท
สินค้ามาใหม่
การควบคุมคุณภาพ
ความ คิด เห็น
หน้าแรก
/
วงจรรวม (IC)
/
หน่วยความจำ
/ Samsung Semiconductor K4F4E3S4HF-GFCJ
K4F4E3S4HF-GFCJ
Active - IC DRAM LPDDR4 4 Gb 3733 Mbps
ผู้ผลิต:
Samsung Semiconductor
ส่วน Mfr #
K4F4E3S4HF-GFCJ
ประเภท:
หน่วยความจำ
เอกสารข้อมูลสินค้า:
K4F4E3S4HF-GFCJ
คำอธิบาย:
IC DRAM LPDDR4 4 Gb 3733 Mbps
K4F4E3S4HF-GFCJ สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
ประเภท
หน่วยความจำ
ผู้ผลิต
Samsung Semiconductor
อนุกรม
-
บรรจุ ภัณฑ์
Tray
สถานะผลิตภัณฑ์
Active
ประเภทหน่วยความจำ
Volatile
รูปแบบหน่วยความจำ
DRAM
เทคโนโลยี
LPDDR4
ขนาดหน่วยความจำ
4 Gb
การจัดระเบียบหน่วยความจำ
x32
อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ
Parallel
ความถี่นาฬิกา
-
รอบเวลาการเขียน - Word, หน้า
-
เวลาในการเข้าถึง
-
แรงดันไฟฟ้า - การจ่ายไฟ
1.8 / 1.1 / 1.1 V
อุณหภูมิในการทำงาน
-40 ~ 95 ℃
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส
200 FBGA
แพ็คเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
200 FBGA
K4F4E3S4HF-GFCJ สินค้า คง คลัง: 15375
ประวัติราคา
0
5.0 / 5.0
นางสาว อรทัย
Thailand
2021-06-06 21:55
รับความสมบูรณ์สั่งซื้อซื้อคุณภาพดีและจัดส่งที่รวดเร็ว
Karen Martin
United States
2021-11-10 21:58
พวกเขาดูดีผู้ขายแนะนําฉันมาถึงเร็วมากขอบคุณมาก
Jessica Foster
United States
2021-07-21 22:22
ขอบคุณการจัดส่งที่รวดเร็ว
Agus Salim
Indonesia
2021-10-20 16:18
ผู้ขายที่แนะนํามาก
Amirul Ashraf
Malaysia
2021-07-18 00:02
ผู้ขาย tq ทุกส่วนแล้วที่จะใช้... ส่วนเดิม.. แนะนํา
K4F4E3S4HF-GFCJ สินค้าที่เกี่ยวข้อง
K4F6E3S4HB-KHCL
Samsung Semiconductor
K4F6E3S4HB-KFCL
Samsung Semiconductor
K4F8E304HB-MGCJ
Samsung Semiconductor
K4F8E304HB-MGCJ
Samsung Semiconductor
K4FBE3D4HM-TFCL
Samsung Semiconductor
K4F6E3S4HM-MGCJ
Samsung Semiconductor
K4F6E3S4HM-MGCJ
Samsung Semiconductor
K4F8E3S4HD-GHCL
Samsung Semiconductor
K4F8E3S4HD-GUCL
Samsung Semiconductor
K4F4E3S4HF-GHCJ
Samsung Semiconductor
K4F6E3S4HM-THCL
Samsung Semiconductor
K4F2E3S4HA-TFCL
Samsung Semiconductor
ขอใบเสนอราคา
ส่วนจํานวน *
ผู้ผลิต
ติดต่อ *
ที่อยู่อีเมล *
ปริมาณการสอบถาม *
ประเทศที่จัดส่ง *