IRF630FP
Obsolete - MOSFET N-CH 200V 9A TO220FP
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 200V 9A TO220FP
IRF630FP สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
200 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
9A (Tc)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
400mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
4V @ 250μA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
45 nC @ 10 V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
700 pF @ 25 V
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
30W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน
-65 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
TO-220FP
แพ็คเกจ/เคส
TO-220-3 Full Pack
IRF630FP สินค้า คง คลัง: 44060
5.0 / 5.0
2023-01-04 02:16
มาถึงกลุ่มถูกต้อง ทุกอย่างเรียบร้อยดี ขอบคุณผู้ขาย
2023-01-03 07:42
สินค้ามาถึงภายในหนึ่งเดือนตามที่อธิบายไว้
2023-01-03 04:56
ไมโครเคมีหุ่นยนต์นึกถึงช่วง DC/DC ต่ํากว่า ทุกอย่างก็เริ่มต้นขึ้นผมแนะนํา
2023-01-04 07:36
คุณภาพดีทํางานได้อย่างสมบูรณ์แบบ
2023-01-03 03:50
คุณภาพดี จัดส่งรวดเร็ว ขอบคุณค่ะ
United States
