SCT10N120
Active - SICFET N-CH 1200V 12A HIP247
คำอธิบาย:
SICFET N-CH 1200V 12A HIP247
SCT10N120 สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
เทคโนโลยี
SiCFET (Silicon Carbide)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
1200 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
12A (Tc)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
690mOhm @ 6A, 20V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
3.5V @ 250μA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
22 nC @ 20 V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
290 pF @ 400 V
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
150W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
HiP247?
United States
.jpg)
