SCT20N120
Active - SICFET N-CH 1200V 20A HIP247
คำอธิบาย:
SICFET N-CH 1200V 20A HIP247
SCT20N120 สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
เทคโนโลยี
SiCFET (Silicon Carbide)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
1200 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
20A (Tc)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
290mOhm @ 10A, 20V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
3.5V @ 1mA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
45 nC @ 20 V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
650 pF @ 400 V
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
175W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
HiP247?
SCT20N120 สินค้า คง คลัง: 46735
5.0 / 5.0
2022-12-17 08:43
จัดส่งเร็วมาก สินค้าตรงกับที่ฉันสั่งเป๊ะ ๆดีใจมากขอบคุณมาก!!
2023-01-03 02:01
จัดส่งรวดเร็ว แนะนําการนําเสนอที่ดี
2023-01-02 16:36
ปรากฏตามที่อธิบายไว้นับถูกต้องฉันยังไม่ได้ทดสอบ
2022-08-16 05:31
ผู้ขายซื่อสัตย์ บริการดี เป็นคนที่น่าเชื่อถือ
2022-12-31 09:38
ส่งศวิดโก้แล้ววคิดกฤตติยา 4,1V วคิดนา 7,5 NF ฉันนั่งลง ทําดี
United States
.jpg)
