STS6NF20V
Active - MOSFET N-CH 20V 6A 8SO
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 20V 6A 8SO
STS6NF20V สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
บรรจุ ภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
20 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
6A (Tc)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
1.95V, 4.5V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
40mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
600mV @ 250μA (Min)
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
11.5 nC @ 4.5 V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
460 pF @ 15 V
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
2.5W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน
150 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
8-SOIC
แพ็คเกจ/เคส
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
United States
