HS1F
Active - DIODE GEN PURP 300V 1A DO214AC
คำอธิบาย:
DIODE GEN PURP 300V 1A DO214AC
HS1F สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
บรรจุ ภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
แรงดันไฟฟ้า - DC Reverse (Vr) (สูงสุด)
300 V
กระแส - เฉลี่ยที่แก้ไขแล้ว (Io)
1A
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ If
1 V @ 1 A
ความเร็ว
Fast Recovery = 200mA (Io)
เวลาการกู้คืนแบบย้อนกลับ (trr)
50 ns
ปัจจุบัน - การรั่วไหลแบบย้อนกลับ @ Vr
5 μA @ 300 V
ความจุ @ Vr, F
20pF @ 4V, 1MHz
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
บรรจุภัณฑ์ / กล่อง
DO-214AC, SMA
แพ็คเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
DO-214AC (SMA)
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก
-55 ℃ ~ 150 ℃
United States
