IRF640LPBF
Obsolete - MOSFET N-CH 200V 18A TO262-3
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 200V 18A TO262-3
IRF640LPBF สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
200 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
18A (Tc)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
4V @ 250μA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
70 nC @ 10 V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
1300 pF @ 25 V
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
3.1W (Ta), 130W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
TO-262-3
แพ็คเกจ/เคส
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
United States
