IRFBC20
Obsolete - MOSFET N-CH 600V 2.2A TO220AB
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 600V 2.2A TO220AB
IRFBC20 สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
600 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
2.2A (Tc)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
4.4Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
4V @ 250μA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
18 nC @ 10 V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
350 pF @ 25 V
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
50W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
TO-220AB
United States
