IRFBF20LPBF
Active - MOSFET N-CH 900V 1.7A I2PAK
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 900V 1.7A I2PAK
IRFBF20LPBF สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
900 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
1.7A (Tc)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
8Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
4V @ 250μA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
38 nC @ 10 V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
490 pF @ 25 V
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
3.1W (Ta), 54W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
I2PAK
แพ็คเกจ/เคส
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
United States
