IRFBG20L
Active - MOSFET N-CH 1000V 1.4A I2PAK
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 1000V 1.4A I2PAK
IRFBG20L สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
1000 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
1.4A (Ta)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
11Ohm @ 840mA, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
4V @ 250μA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
38 nC @ 10 V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
500 pF @ 25 V
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
-
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
I2PAK
แพ็คเกจ/เคส
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
United States
