IRFD224
Active - MOSFET N-CH 250V 630MA 4DIP
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 250V 630MA 4DIP
IRFD224 สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
250 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
630mA (Ta)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
1.1Ohm @ 380mA, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
4V @ 250μA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
14 nC @ 10 V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
260 pF @ 25 V
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
1W (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
4-HVMDIP
แพ็คเกจ/เคส
4-DIP (0.300", 7.62mm)
United States
