C3M0120100K
Active - SICFET N-CH 1000V 22A TO247-4L
คำอธิบาย:
SICFET N-CH 1000V 22A TO247-4L
C3M0120100K สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
เทคโนโลยี
SiCFET (Silicon Carbide)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
1000 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
22A (Tc)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
15V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
155mOhm @ 15A, 15V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
3.5V @ 3mA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
21.5 nC @ 15 V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
350 pF @ 600 V
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
83W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
TO-247-4L
C3M0120100K สินค้า คง คลัง: 33820
5.0 / 5.0
2023-01-04 02:16
มาถึงกลุ่มถูกต้อง ทุกอย่างเรียบร้อยดี ขอบคุณผู้ขาย
2023-01-03 07:42
สินค้ามาถึงภายในหนึ่งเดือนตามที่อธิบายไว้
2023-01-03 04:56
ไมโครเคมีหุ่นยนต์นึกถึงช่วง DC/DC ต่ํากว่า ทุกอย่างก็เริ่มต้นขึ้นผมแนะนํา
2023-01-04 07:36
คุณภาพดีทํางานได้อย่างสมบูรณ์แบบ
2023-01-03 03:50
คุณภาพดี จัดส่งรวดเร็ว ขอบคุณค่ะ
United States
