C3M0350120D
Active - SICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3
คำอธิบาย:
SICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3
C3M0350120D สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
เทคโนโลยี
SiCFET (Silicon Carbide)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
1200 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
7.6A (Tc)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
15V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
455mOhm @ 3.6A, 15V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
3.6V @ 1mA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
19 nC @ 15 V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
345 pF @ 1000 V
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
50W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
TO-247-3
Thailand
