C4D02120E
Active - DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO252-2
คำอธิบาย:
DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO252-2
C4D02120E สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
ประเภทไดโอด
Silicon Carbide Schottky
แรงดันไฟฟ้า - DC Reverse (Vr) (สูงสุด)
1200 V
กระแส - เฉลี่ยที่แก้ไขแล้ว (Io)
10A
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ If
1.8 V @ 2 A
ความเร็ว
No Recovery Time >500mA (Io)
เวลาการกู้คืนแบบย้อนกลับ (trr)
0 ns
ปัจจุบัน - การรั่วไหลแบบย้อนกลับ @ Vr
50 μA @ 1200 V
ความจุ @ Vr, F
167pF @ 0V, 1MHz
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
บรรจุภัณฑ์ / กล่อง
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
แพ็คเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
TO-252-2
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก
-55 ℃ ~ 175 ℃
United States
