C4D08120E
Active - DIODE SIL CARB 1.2KV 24.5A TO252
คำอธิบาย:
DIODE SIL CARB 1.2KV 24.5A TO252
C4D08120E สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
ประเภทไดโอด
Silicon Carbide Schottky
แรงดันไฟฟ้า - DC Reverse (Vr) (สูงสุด)
1200 V
กระแส - เฉลี่ยที่แก้ไขแล้ว (Io)
24.5A
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ If
3 V @ 2 A
ความเร็ว
No Recovery Time >500mA (Io)
เวลาการกู้คืนแบบย้อนกลับ (trr)
0 ns
ปัจจุบัน - การรั่วไหลแบบย้อนกลับ @ Vr
250 μA @ 1200 V
ความจุ @ Vr, F
560pF @ 0V, 1MHz
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
บรรจุภัณฑ์ / กล่อง
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
แพ็คเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
TO-252-2
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก
-55 ℃ ~ 175 ℃
C4D08120E สินค้า คง คลัง: 13035
5.0 / 5.0
2022-12-17 08:43
จัดส่งเร็วมาก สินค้าตรงกับที่ฉันสั่งเป๊ะ ๆดีใจมากขอบคุณมาก!!
2023-01-03 02:01
จัดส่งรวดเร็ว แนะนําการนําเสนอที่ดี
2023-01-02 16:36
ปรากฏตามที่อธิบายไว้นับถูกต้องฉันยังไม่ได้ทดสอบ
2022-08-16 05:31
ผู้ขายซื่อสัตย์ บริการดี เป็นคนที่น่าเชื่อถือ
2022-12-31 09:38
ส่งศวิดโก้แล้ววคิดกฤตติยา 4,1V วคิดนา 7,5 NF ฉันนั่งลง ทําดี
United States
