SCTL35N65G2V
Active - TRANS SJT N-CH 650V PWRFLAT HV
คำอธิบาย:
TRANS SJT N-CH 650V PWRFLAT HV
SCTL35N65G2V สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
บรรจุ ภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
เทคโนโลยี
SiCFET (Silicon Carbide)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
650 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
40A (Tc)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
67mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
5V @ 1mA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
73 nC @ 20 V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
1370 pF @ 400 V
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
417W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
PowerFlat? (8x8) HV
Singapore
.jpg)
